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本技术提供了一种平面型SIC芯片结构，属于SIC芯片技术领域，包括:SIC芯片体、导电凸块、金属散热片和框架体,SIC芯片体的表面设有多个导电凸块；金属散热片的第一表面与SIC芯片体的背面焊接,金属散热片的第二表面与引线框焊接；框架体包括多...
该专利属于深圳佳恩功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳佳恩功率半导体有限公司授权不得商用。

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