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本技术提供了一种双栅极结构的SIC芯片，属于SIC芯片技术领域，该双栅极结构的SIC芯片包括长条形的基岛,基岛的正表面上键合有MOSFET裸芯；MOSFET裸芯包括硅基体，硅基体的上下分别相对设置第一表面和第二表面；第一表面上设置有源极、栅...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。

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