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本发明提出了一种氮化物半导体激光器芯片，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述上波导层和下波导层均具有电子有效质量分布、自发极化系数分布、弹性系数分布和禁带宽度分布特性。本发明在氮化物半导体激光器芯...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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