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本申请提供了一种金属互连层及其制备方法、半导体芯片，本申请的金属互连层形成为Ti/TiN(渐变层)‑AL‑Ti/TiN式结构，在形成第一钛层之后，通过逐渐改变氮气的浓度、分步沉积的方式形成包含多层不同氮浓度的氮化钛层的氮化钛渐变层。逐渐改变...
该专利属于杭州富芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州富芯半导体有限公司授权不得商用。

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