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半导体装置和包括该半导体装置的电子系统制造方法及图纸
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下载半导体装置和包括该半导体装置的电子系统的技术资料
文档序号:41098550
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公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括:第一栅极堆叠结构,包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案;存储器沟道结构,包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分;贯通接触件,包括在与第一存储器部分的水平相同的水平...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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