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本申请提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，设置于衬底一侧的源极、漏极、栅极和沟道结构，沟道结构包括多个纳米片形成的叠层，栅极环绕纳米片。在本申请中，衬底可以包括依次层叠设置的第一衬底和第二衬底，其中，第一衬底为半导体材料，...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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