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一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路制造技术
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文档序号:41012191
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本发明公开了一种无片外电容式的LDO及其自适应衬底驱动电路,涉及涉及调节电变量或磁变量的系统,针对现有技术中PSRR提升不佳的问题提出本方案。LDO前置一P缓冲级,所述P缓冲级用于在反馈控制回路中对功率管的控制输入进行缓冲以及令功率管的控制...
该专利属于华南理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南理工大学授权不得商用。
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