温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种芯片铜柱的电镀方法及铜柱凸块的制作方法，包括如下步骤：a、在电流密度J<subgt;0</subgt;为1~3A/dm<supgt;2</supgt;的条件下，形成第一高度的...
该专利属于武创芯研科技（武汉）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武创芯研科技（武汉）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。