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本发明提供了一种高纯度SiC粉体的制备装置和高纯度SiC粉体的制备方法，本发明首先在立式生长炉的内部顶端装载纳米级SiC粉体作为籽晶，其次，将立式生长炉的上部腔体的温度加热至生长温度，再次，通过第一气体预备室将第一载气和/或物料气体通入至上...
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