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本发明公开了一种外延片的生长方法。其具体流程包括，第一步：对所选硅片进行外延生长；第二步：对经外延生长的硅片进行退火，以消除其表面应力。本发明可以通过工艺将一些表面参数缺陷较小的硅片进行优化，使其成品外延片的表面参数符合工艺要求，提高硅片原...
该专利属于上海超硅半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体股份有限公司授权不得商用。

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