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本申请公开一种肖特基二极管的制备方法及装置，通过获取包含硅衬底的外延材料，对外延材料进行清洗，并对清洗后的外延材料进行隔离处理，得到隔离外延片；对隔离外延片进行刻蚀，得到第一外延片；在第一外延片的刻蚀区域进行欧姆金属沉积，并剥离形成欧姆金属...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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