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本发明公开了一种双异质键合高压SiC功率器件微通道封装结构及制备方法，其在SiC功率器件的两侧对称依次设有金属电极层、二维材料过渡层、金刚石散热层、DBC基板和带有回字形凹槽的微通道热沉层；二维材料过渡层选用高导热型且具有六方对称结构的二维...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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