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本发明提供一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法，上述GaN基HEMT器件包括衬底、缓冲层、非掺杂u‑GaN层、重掺杂n+GaN层及异质结；缓冲层设于衬底上；非掺杂u‑GaN层设于缓冲层上；重掺杂n+GaN层设于非掺杂u...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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