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本发明公开了一种太阳能级硅晶体的热处理方法，将硅晶体置入真空加热炉内，在硅晶体的热处理过程中，将保护气体通入真空加热炉内并流经硅晶体表面，所述的保护气体为：ａ）含氢原子的气体；或ｂ）含氢原子的气体与惰性气体的混合物。采用本发明方法对硅晶体进...
该专利属于浙江碧晶科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江碧晶科技有限公司授权不得商用。

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