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本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种碳化硅MOSFET沟道形成方法，首先在碳化硅衬底内形成P‑base区域后通过在碳化硅衬底上形成两层膜结构，从下至上分别为硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层，并对硅硬掩膜层进行热氧化处理形成二氧化硅薄膜侧墙...
该专利属于宁波达新半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波达新半导体有限公司授权不得商用。

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