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一种碳化硅MOSFET沟道形成方法技术
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下载一种碳化硅MOSFET沟道形成方法的技术资料
文档序号:40875244
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本发明适用于半导体器件技术领域,提供了一种碳化硅MOSFET沟道形成方法,首先在碳化硅衬底内形成P‑base区域后通过在碳化硅衬底上形成两层膜结构,从下至上分别为硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层,并对硅硬掩膜层进行热氧化处理形成二氧化硅薄膜侧墙...
该专利属于宁波达新半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过宁波达新半导体有限公司授权不得商用。
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