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本发明提供一种铜‑铜凸点常温键合方法及键合结构，所述键合方法包括步骤：将铜凸点表面进行去氧化处理；通过微液滴打印在去氧化处理后的铜凸点表面放置化学金属镀液；将需要键合的基板或芯片上的焊盘或凸点位置对准上述处理后的铜凸点，通过化学金属镀液的氧...该专利属于深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院）所有，仅供学习研究参考，未经过深港产学研基地（北京大学香港科技大学深圳研修院）授权不得商用。