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一种高电子迁移率晶体管22包括具有第一晶格常数的成核层14、具有第二晶格常数的后阻挡层24以及具有第三晶格常数的应力管理层26，第三晶格常数大于第一晶格常数和第二晶格常数两者。应力管理层26补偿由于成核层14和后阻挡层24之间的晶格失配而产...
该专利属于IQE公开有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过IQE公开有限公司授权不得商用。

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