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本发明公开了一种太阳能晶硅电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：对硅基底的受光面与背光面分别进行制绒以及掺杂元素扩散，硅基底的受光面形成p<supgt;+</supgt;发射结；去除硅基底的受光面与背光面的掺杂氧化层；在硅基底...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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