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本申请提供了具有阶梯周期缓冲层的氮化镓HEMT器件及其制造方法，包括外延结构，外延结构包括超晶格缓冲层，超晶格缓冲层包括一个或多个超晶格缓冲单元，每个超晶格缓冲单元包括依次层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第一缓冲层、第三缓冲层...
该专利属于深圳镓楠半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳镓楠半导体科技有限公司授权不得商用。

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