温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域中的一种逆导IGBT半导体器件及制备方法，包括漂移层结构、阴极结构和栅极结构，阴极结构与栅极结构均设置在漂移层结构上，漂移层结构上嵌入设置有PT阳极沟槽栅、第一阳极区、第二阳极区和PR阳极区，其中，PT阳极沟槽栅、第...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。