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本发明涉及半导体检测领域，公开一种硅通孔芯片的缺陷检测方法，包括步骤：S10：以包含两组及两组以上的硅通孔的芯片作为检测对象；S20：基于红外图像采集对所述检测对象进行特征提取，得到温度场数据；S30：建立缺陷标签，对温度场数据进行标签分类...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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