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本公开涉及一种半导体外延结构及其制备方法，该半导体外延结构包括：衬底；设置在衬底上含铝氮硅原子键的薄层；设置在薄层上均匀的铝层；设置在铝层上的第一缓冲层。该半导体外延结构有效的减小了衬底与外延界面之间的失配、以及缺陷问题，减少了后期HEMT...
该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。

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