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网格保护结构肖特基二极管制造技术
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文档序号:4070606
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本实用新型涉及一种网格保护结构肖特基二极管,用于各种高压肖特基二极管产品上。它包括硅片衬底(1)、硅片衬底(1)表面的硅片外延层(2)以及硅片外延层(2)表面的SiO2层(3),在硅片外延层(2)表面设置有P型掺杂的保护环(6),在硅片外延...
该专利属于江阴新顺微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江阴新顺微电子有限公司授权不得商用。
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