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本发明公开了一种本发明实施例提供的一种绝缘栅双极晶体管、其制作方法及电子器件，衬底的制作材料包括P+型碳化硅，衬底之上设置有缓冲层，缓冲层的制作材料包括P型碳化硅，缓冲层之上设置有碳化硅层；碳化硅层中设置有栅极沟槽，栅极沟槽两侧分别设置有保...
该专利属于深圳平湖实验室所有，仅供学习研究参考，未经过深圳平湖实验室授权不得商用。

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