温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种沟槽器件终端及其栅极结构制备方法，属于半导体技术领域。本发明通过在第一衬底层上依次形成环形沟槽结构、栅极结构，在形成转角区域和非转角区域的栅极结构之后，使转角区域内的栅极结构之间的沟槽间距等于非转角区域内的栅极结构的沟槽间距...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。