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本发明公开了直拉硅单晶生长加热器参数优化方法，首先通过晶体生长原理建立热传导模型，并确定模型热边界条件；然后使用有限元法计算不同加热器位置下晶体生长不同阶段的固液界面温度分布；最后通过鲸鱼优化算法优化加热器位置，将有限元法计算结果作为优化算...
该专利属于西安理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安理工大学授权不得商用。

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