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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一层间绝缘层，在衬底上，包括第一互连部；公共源极板，在第一层间绝缘层上；导电层，在公共源极板上沿第一方向延伸；铁电层，在导电层的一个侧壁上；沟道层，在铁电层上；第一导电柱，在沟道层上，穿透公共...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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