温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种晶圆光刻过程的状态监测方法及系统，方法包括：构建晶圆光刻过程的问题场景，并设置问题场景中的各问题维度；针对各问题维度分别选择维度参数，并设定各维度参数的安全区间；安装针对各维度参数的传感器，并构建传感器...
该专利属于江苏圣创半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏圣创半导体科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。