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本发明公开了一种制备垂直沟道金属氧化物半导体晶体管的方法，属于半导体技术领域。本发明首先RIE刻蚀氧化硅隔离层形成沟槽，再分别制备源/漏电极、有源层、栅介质层以及金属栅电极，得到由位于沟槽内的栅极控制的串联垂直沟道氧化物晶体管。采用本发明可...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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