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本公开提供一种多状态的一次性可编程存储器电路，其包含一存储器单元和一编程电压驱动电路。该存储器单元包含一金属氧化物半导体场效应存储晶体管、一第一金属氧化物半导体场效应接入晶体管和一第二金属氧化物半导体场效应接入晶体管电性相连，用以存储两位数...
该专利属于振生半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过振生半导体股份有限公司授权不得商用。

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