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制造半导体器件的方法技术
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文档序号:4052596
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本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括:在半导体衬底上形成第一层间绝缘膜;在所述第一层间绝缘膜中形成第一孔;在所述第一孔内形成阻挡膜;在所述第一孔中填充导电材料以形成第一插塞;在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜;在所述第二层间...
该专利属于尔必达存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过尔必达存储器株式会社授权不得商用。
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