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本发明提出一种双色红外焦平面芯片制备方法，采用拼接工艺将两个不同波段外延材料制备的焦平面阵列在同一双色电路上依次进行垂直叠合，以制备拼接红外双色焦平面芯片。为解决拼接结构双色芯片电学串扰问题，本发明选择具有耐磨性的填充胶材料填充在焦平面阵列...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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