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本发明公开了一种砷化镓的制备方法，属于半导体材料技术领域，包括以下步骤：(1)将高纯镓、高纯砷分别置于石英管的两端；(2)对石英管进行抽真空至真空度为1×10‑3Pa；(3)向石英管中通入氮气置换石英管内剩余的空气，加热使镓料端的温度至40...该专利属于广东先导微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东先导微电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种砷化镓的制备方法，属于半导体材料技术领域，包括以下步骤：(1)将高纯镓、高纯砷分别置于石英管的两端；(2)对石英管进行抽真空至真空度为1×10‑3Pa；(3)向石英管中通入氮气置换石英管内剩余的空气，加热使镓料端的温度至40...