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本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种调节CMOS器件阈值的方法及CMOS器件，方法包括：在CMOS器件上设置衬底，衬底包括NMOS区域和PMOS区域，NMOS区域包括鳍片一和鳍片二，PMOS区域包括鳍片三和鳍片四；沉积阻挡层；在NMOS区...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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