温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开一种冷坩埚法生长氧化镓晶体的装置及生长方法，包括：加热单元，包括高频感应线圈；水冷坩埚单元，包括水冷瓣和氧化镓壳层，以及升降单元，包括升降装置；其中，所述水冷瓣包括水冷铜管和底座，所述底座包括进水口和出水口，所述水冷铜管与所述进水...
该专利属于北京镓创科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京镓创科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。