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本技术提供了一种晶体生长装置，涉及生长装置领域，包括：炉体、进料装置、导向装置和处理机构，所述炉体内部设置有加热器和坩埚，且坩埚内部设有熔体，所述进料装置包括进料斗、竖直管和倾斜管，且竖直管上端连接在进料斗下端，倾斜管倾斜连接在竖直管下端，...
该专利属于合肥安德科铭半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥安德科铭半导体科技有限公司授权不得商用。

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