温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种沟槽型场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该所述沟槽型场效应晶体管包括：衬底层；外延层；第一体区；第二体区；第一沟槽；第二沟槽；第一源区；第二源区。本发明通过预设第一体区、第二体区的深度，使第二体区的深度小于所述第一...
该专利属于深圳芯能半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳芯能半导体技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。