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本发明公开了一种基于溶液辅助旋涂法的超薄原子级平整Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。该Ga<subgt;2</subgt;O&l...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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