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本技术公开了一种高功率器件晶体的散热结构,包括功率器件主体,所述功率器件主体的底面固定连接有等距离排列的引脚,所述功率器件主体的右侧面设置有硅脂层,所述功率器件主体的上表面固定连接有连接块,所述连接块的内部开设有连接孔一,所述连接孔一的内部...该专利属于日月新半导体(威海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过日月新半导体(威海)有限公司授权不得商用。
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本技术公开了一种高功率器件晶体的散热结构,包括功率器件主体,所述功率器件主体的底面固定连接有等距离排列的引脚,所述功率器件主体的右侧面设置有硅脂层,所述功率器件主体的上表面固定连接有连接块,所述连接块的内部开设有连接孔一,所述连接孔一的内部...