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本发明公开了一种金属箔表面MXene自生长工艺及其产品和应用，其中金属箔表面MXene自生长工艺包括如下步骤：S1.制备MXene分散液,将MXene分散液配制为5‑10mg/mL；S2.将普通金属箔用乙酸进行浸泡处理，使之失去钝化层；S3...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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