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硅异质结太阳能电池及其制备方法技术
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文档序号:40420411
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本发明公开了硅异质结太阳能电池及其制备方法,硅异质结太阳能电池包括:半导体基底;钝化层,设在背光面和/或迎光面上;掺杂层,设在钝化层的远离半导体基底的表面上;导电层,设在掺杂层的远离钝化层的表面,导电层远离掺杂层的表面包括间隔设置的第一表面...
该专利属于隆基绿能科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过隆基绿能科技股份有限公司授权不得商用。
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