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根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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