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本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法。其中，半导体结构包括：多条位线，沿第二方向延伸；多条绝缘层，沿第一方向延伸；第一方向与第二方向相互垂直，且均平行于衬底表面；相邻的两条绝缘层和相邻的两条位线之间限定出暴露衬底的接触孔...
该专利属于长鑫新桥存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫新桥存储技术有限公司授权不得商用。

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