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本发明提供了一种半导体激光器的外延结构，包括外延衬底及其上的异质结缓冲层、第一接触层、激光器功能叠层及第二接触层；异质结缓冲层至少包括第一刻蚀阻挡层及辅助缓冲层，第一刻蚀阻挡层位于辅助缓冲层上并与辅助缓冲层构成异质结。第一刻蚀阻挡层与辅助缓...
该专利属于上海新微半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微半导体有限公司授权不得商用。

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