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一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤１：选择一ｎ＋型ＧａＡｓ单晶片作为衬底；步骤２：在衬底上依次生长ｎ型ＧａＡｓ层和本征ＧａＡｓ缓冲层；步骤３：在本征ＧａＡｓ缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的ｉ吸...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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