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具有阻隔区的场效应晶体管器件制造技术
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下载具有阻隔区的场效应晶体管器件的技术资料
文档序号:40350334
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本申请公开了一种具有阻隔区的场效应晶体管器件,用于解决现有技术场效应晶体管短沟道效应的问题,该场效应晶体管器件包括有源层,该有源层包括源极区域、漏极区域以及位于源极区域和漏极区域之间的沟道区域;当器件开启时,沟道区域内形成有有效沟道以及至少...
该专利属于苏州大学所有,仅供学习研究参考,未经过苏州大学授权不得商用。
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