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本发明公开了一种硅异质结电池的低温激光切割方法，包括如下步骤：设计硅异质结电池的切割路径；沿所述切割路径对所述硅异质结电池进行初次切割，且所述初次切割的激光输出功率小于第一设定阈值；沿所述切割路径对所述硅异质结电池多次重复切割，每次重复切割...
该专利属于国家电投集团科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团科学技术研究院有限公司授权不得商用。

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