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本发明公开了一种晶体生长装置,包括:坩埚;提拉装置,沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部;以及生长模具,包括变径段,所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段,所述第一缩径段和第一扩径段均...该专利属于湖南三安半导体有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖南三安半导体有限责任公司授权不得商用。
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本发明公开了一种晶体生长装置,包括:坩埚;提拉装置,沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部;以及生长模具,包括变径段,所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段,所述第一缩径段和第一扩径段均...