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提供一种占有面积小的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括依次层叠的第一导电层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、第四绝缘层、第五绝缘层及第二导电层，还包括半导体层、第三导电层及第六绝缘层。半导体层与第一导电层的顶面、第一至第五绝缘层的...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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