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本发明的利用三块掩模板制作垂直双极性晶体管的方法包括以下步骤：在形成ＣＭＯＳ双阱的过程中，对第一导电类型的衬基的双极性晶体管区进行第一导电类型掺杂，形成集电极；在所述衬基的表面上形成多晶硅层，以第二导电类杂质对该多晶硅层进行选择性掺杂，以形...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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